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STGW25H120DF2

Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefield-stopstructure.ThesedevicesarepartoftheHseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofhighswitchingfrequencyconve

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGW25H120DF2

包裝:管件 封裝/外殼:TO-247-3 類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述:IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STGWA25H120DF2

Trenchgatefield-stopIGBT,Hseries1200V,25Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusinganadvancedproprietarytrenchgatefield-stopstructure.ThesedevicesarepartoftheHseriesofIGBTs,whichrepresentanoptimumcompromisebetweenconductionandswitchinglossestomaximizetheefficiencyofhighswitchingfrequencyconve

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW25H120DF2

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,25A

  • 開關(guān)能量:

    600μJ(開),700μJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    29ns/130ns

  • 測試條件:

    600V,25A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGW25H120DF2供應(yīng)商 更新時間2025-1-12 14:13:00