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STGW25H120DF2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW25H120DF2參考圖片

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原廠料號：STGW25H120DF2品牌：ST/意法半導體

全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成

STGW25H120DF2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法半導體/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW25H120DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

  • 芯片型號：

    STGW25H120DF2

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導體集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    17 頁

  • 文件大?。?/span>

    737.22 kb

  • 資料說明：

    Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    STGW25H120DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2.6V @ 15V，25A

  • 開關能量：

    600μJ（開），700μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    29ns/130ns

  • 測試條件：

    600V，25A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

供應商

  • 企業(yè)：

    深圳市斌能達電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    朱先生

  • 手機：

    15986652922

  • 詢價：
  • 電話：

    15986652922

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)501棟405

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