STGW25H120F2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGW25H120F2
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ST
庫存數(shù)量：
45608
產(chǎn)品封裝：
TO-247-3
生產(chǎn)批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-10 14:05:00

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原廠料號：STGW25H120F2品牌：ST

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STGW25H120F2是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247-3的STGW25H120F2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGW25H120F2
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內(nèi)容頁數(shù)：
17 頁
文件大?。?/span>
957.14 kb
資料說明：
Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
STGW25H120F2
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.6V @ 15V，25A
開關能量：
600μJ（開），700μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
29ns/130ns
測試條件：
600V，25A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-247-3
供應商器件封裝：
TO-247-3
描述：
IGBT H-SERIES 1200V 25A TO-247

供應商

企業(yè)：
深圳市水星電子有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
李先生
手機：
13632880560
詢價：
電話：
0755-89585609
地址：
深圳市龍崗區(qū)平湖街道禾花社區(qū)華南大道1號華南國際印刷紙品包裝物流區(qū)二期2號樓B1C177

STGW25H120F2 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGW25H120F2

產(chǎn)品屬性

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