首頁(yè)>STGD3HF60HDT4>芯片詳情

STGD3HF60HDT4_STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體_IGBT 晶體管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM柒號(hào)芯城

STGD3HF60HDT4

圖片僅供參考,請(qǐng)參閱產(chǎn)品規(guī)格書(shū)

訂購(gòu)數(shù)量 價(jià)格
1+
  • 詳細(xì)信息
  • 規(guī)格書(shū)下載

原廠料號(hào):STGD3HF60HDT4品牌:ST

柒號(hào)只做原裝 現(xiàn)貨價(jià)秒殺全網(wǎng)

  • 芯片型號(hào):

    STGD3HF60HDT4

  • 規(guī)格書(shū):

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體(ST)集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    16 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    925.56 kb

  • 資料說(shuō)明:

    4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào):

    STGD3HF60HDT4

  • 功能描述:

    IGBT 晶體管 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集電極—發(fā)射極最大電壓

  • VCEO:

    650 V

  • 集電極—射極飽和電壓:

    2.3 V

  • 柵極/發(fā)射極最大電壓:

    20 V 在25

  • C的連續(xù)集電極電流:

    150 A

  • 柵極—射極漏泄電流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封裝/箱體:

    TO-247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    柒號(hào)芯城電子商務(wù)(深圳)有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    連小若

  • 手機(jī):

    18922805453

  • 詢價(jià):
  • 電話:

    0755-83663056

  • 傳真:

    0755-83209937

  • 地址:

    福田區(qū)華強(qiáng)北路1019號(hào)華強(qiáng)廣場(chǎng)D座23樓