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STGD3NB60HDT4

N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

DESCRIPTION Usingthelatesthighvoltagetechnologybasedonapatentedstriplayout,STMicroelectronicshasdesignedanadvancedfamilyofIGBTs,thePowerMESH?IGBTs,withoutstandingperfomances. ■HIGHINPUTIMPEDANCE ■OFFLOSSESINCLUDETAILCURRENT ■LOWGATECHARGE ■HIGHFREQUENCY

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGD3NB60HDT4

Package：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝：管件 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT 600V 10A 50W DPAK

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

STGB3NB60HDT4

N-CHANNEL3A-600V-TO-220/TO-220FP/D2PAKPowerMESHTMIGBT

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGD3NB60HDT4

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    PowerMESH?

  • 包裝：

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2.8V @ 15V，3A

  • 開關(guān)能量：

    33μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開/關(guān)）值：

    5ns/53ns

  • 測試條件：

    480V，3A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 150°C（TJ）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    DPAK

  • 描述：

    IGBT 600V 10A 50W DPAK

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價(jià)格
ST/意法
23+
DPAK
10000
公司只做原裝正品
 詢價(jià)
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息,
 詢價(jià)
ST
22+
DPak
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
 詢價(jià)
STMicroelectronics
2022+
DPAK
38550
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷
 詢價(jià)
ST
原廠原封
93480
集團(tuán)化配單-有更多數(shù)量-免費(fèi)送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)
 詢價(jià)
ST
22+
DPAK
25000
只做原裝進(jìn)口現(xiàn)貨,專注配單
 詢價(jià)
ST
23+
DPak
8000
只做原裝現(xiàn)貨
 詢價(jià)
ST/意法
22+
DPAK
18743
詢價(jià)
ST
24+
DPAK
37650
獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠心經(jīng)營 免費(fèi)試樣正品保證
 詢價(jià)
ST
1709+
TO-252
32500
普通
 詢價(jià)
更多STGD3NB60HDT4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-26 14:30:00

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