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STGD4M65DF2中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STGD4M65DF2
廠商型號

STGD4M65DF2

功能描述

Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT

文件大小

448.18 Kbytes

頁面數(shù)量

20

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-2 23:15:00

STGD4M65DF2規(guī)格書詳情

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal

balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and

the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)

temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling

operation.

Features

? 6 μs of short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A

? Tight parameter distribution

? Safer paralleling

? Low thermal resistance

? Soft and very fast recovery antiparallel diode

Applications

? Motor control

? UPS

? PFC

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
18+
TO-252
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