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STGD3NB60HD分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGD3NB60HD |
參數(shù)屬性 | STGD3NB60HD 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產(chǎn)品描述:IGBT 600V 10A 50W DPAK |
功能描述 | N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT |
文件大小 |
504.89 Kbytes |
頁面數(shù)量 |
10 頁 |
生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
中文名稱 | 意法半導(dǎo)體(ST)集團官網(wǎng) |
原廠標識 | |
數(shù)據(jù)手冊 | |
更新時間 | 2024-10-26 17:22:00 |
STGD3NB60HD規(guī)格書詳情
DESCRIPTION
Using the latest high voltage technology based on a patented strip layout, STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the Power MESH? IGBTs, with outstanding perfomances.
■ HIGH INPUT IMPEDANCE
■ OFF LOSSES INCLUDE TAIL CURRENT
■ LOW GATE CHARGE
■ HIGH FREQUENCY OPERATION
■ TYPICAL SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME
5micro S-family, 4 micro H family
■ CO-PACKAGED WITH TURBOSWITCH? ANTIPARALLEL DIODE
APPLICATIONS
■ HIGH FREQUENCY MOTOR CONTROLS
■ SMPS and PFC IN BOTH HARD SWITCH AND RESONANT TOPOLOGIES
STGD3NB60HD屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導(dǎo)體(ST)集團制造生產(chǎn)的STGD3NB60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號:
STGD3NB60HDT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
2.8V @ 15V,3A
- 開關(guān)能量:
33μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標準
- 25°C 時 Td(開/關(guān))值:
5ns/53ns
- 測試條件:
480V,3A,10 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 600V 10A 50W DPAK
供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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DPAK |
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ST |
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