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STGD18N40LZT4分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
廠商型號 |
STGD18N40LZT4 |
參數屬性 | STGD18N40LZT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK |
功能描述 | EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT |
文件大小 |
896 Kbytes |
頁面數量 |
19 頁 |
生產廠商 | STMicroelectronics |
企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導體】 |
中文名稱 | 意法半導體(ST)集團官網 |
原廠標識 | |
數據手冊 | |
更新時間 | 2024-10-26 20:00:00 |
STGD18N40LZT4規(guī)格書詳情
STGD18N40LZT4屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導體(ST)集團制造生產的STGD18N40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。
產品屬性
更多- 產品編號:
STGD18N40LZT4
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列:
Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?
- 包裝:
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):
1.7V @ 4.5V,10A
- 輸入類型:
邏輯
- 25°C 時 Td(開/關)值:
650ns/13.5μs
- 測試條件:
300V,10A,5V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63
- 供應商器件封裝:
DPAK
- 描述:
IGBT 420V 25A 125W DPAK
供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
22+ |
TO-252 |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
8250 |
原廠直銷,現貨供應,賬期支持! |
詢價 | ||
ST |
22+ |
DPak |
9000 |
原廠渠道,現貨配單 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
只做原裝,質量保證 |
詢價 | ||
ST |
20+ |
DPAK-3 |
65300 |
一級代理/放心采購 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
DPAK |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
詢價 | ||
ST |
2023+ |
TO-252 |
80000 |
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品 |
詢價 | ||
ST |
1410+ |
TO252 |
675 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
23+ |
TO252DPAK |
90000 |
只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術支持 |
詢價 | ||
ST/意法半導體 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
原裝現貨,實單價優(yōu) |
詢價 |