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STGD18N40LZT4分立半導體產品晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD18N40LZT4
廠商型號

STGD18N40LZT4

參數屬性

STGD18N40LZT4 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單;產品描述:IGBT 420V 25A 125W DPAK

功能描述

EAS 180 mJ - 390 V - internally clamped IGBT
IGBT 420V 25A 125W DPAK

文件大小

896 Kbytes

頁面數量

19

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體(ST)集團官網

原廠標識
數據手冊

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更新時間

2024-10-26 20:00:00

STGD18N40LZT4規(guī)格書詳情

STGD18N40LZT4屬于分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。意法半導體(ST)集團制造生產的STGD18N40LZT4晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGD18N40LZT4

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101, PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.7V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    650ns/13.5μs

  • 測試條件:

    300V,10A,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 420V 25A 125W DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST/意法
22+
TO-252
100000
代理渠道/只做原裝/可含稅
詢價
ST/意法
23+
NA/
8250
原廠直銷,現貨供應,賬期支持!
詢價
ST
22+
DPak
9000
原廠渠道,現貨配單
詢價
ST/意法半導體
21+
DPAK-3
8860
只做原裝,質量保證
詢價
ST
20+
DPAK-3
65300
一級代理/放心采購
詢價
ST
23+
DPAK
12500
ST系列在售,可接長單
詢價
ST
2023+
TO-252
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
詢價
ST
1410+
TO252
675
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
詢價
ST/意法
23+
TO252DPAK
90000
只做原廠渠道價格優(yōu)勢可提供技術支持
詢價
ST/意法半導體
21+
DPAK-3
8860
原裝現貨,實單價優(yōu)
詢價