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STGD19N40LZ分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
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| 廠商型號 |
STGD19N40LZ |
| 參數(shù)屬性 | STGD19N40LZ 封裝/外殼為TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 20V 40A DPAK |
| 功能描述 | Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ |
| 文件大小 |
1.06591 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-12-25 20:00:00 |
STGD19N40LZ規(guī)格書詳情
STGD19N40LZ屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGD19N40LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGD19N40LZ
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包裝：
管件
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
1.5V @ 4.5V，10A
- 輸入類型：
邏輯
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
650ns/13.5μs
- 測試條件：
300V，10A，1 千歐，5V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
表面貼裝型
- 封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 供應(yīng)商器件封裝：
DPAK
- 描述：
IGBT 20V 40A DPAK
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA/ |
8735 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
22+ |
DPAK-3 |
10000 |
只有原裝,原裝,假一罰十 |
詢價 | ||
ST |
23+ |
DPAK |
12500 |
ST系列在售,可接長單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
2023+ |
DPAK-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
DPAK-3 |
8860 |
原裝現(xiàn)貨,實單價優(yōu) |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
DPAK-3 |
13880 |
公司只售原裝,支持實單 |
詢價 | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
DPAK-3 |
10000 |
十年沉淀唯有原裝 |
詢價 | ||
ST/意法 |
2324+ |
NA |
78920 |
二十余載金牌老企,研究所優(yōu)秀合供單位,您的原廠窗口 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO-252 |
40 |
原裝現(xiàn)貨假一賠十 |
詢價 |
