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STGD19N40LZ分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGD19N40LZ
廠商型號

STGD19N40LZ

參數屬性

STGD19N40LZ 封裝/外殼為TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63;包裝為管件;類別為分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產品描述:IGBT 20V 40A DPAK

功能描述

Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ
IGBT 20V 40A DPAK

絲印標識

GD19N40LZ

封裝外殼

DPAK / TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

文件大小

1.06591 Mbytes

頁面數量

17

生產廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網

原廠標識
數據手冊

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-2-9 12:05:00

STGD19N40LZ規(guī)格書詳情

STGD19N40LZ屬于分立半導體產品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產的STGD19N40LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產品屬性

更多
  • 產品編號:

    STGD19N40LZ

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    650ns/13.5μs

  • 測試條件:

    300V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 20V 40A DPAK

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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