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STGD3NB60HD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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1+	面議

廠家型號：
STGD3NB60HD
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ST
庫存數(shù)量：
8866
產品封裝：
TO252DPAK
生產批號：
24+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-2-4 15:30:00

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詳細信息
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原廠料號：STGD3NB60HD品牌：ST

STGD3NB60HD是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產封裝TO252DPAK/TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63的STGD3NB60HD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGD3NB60HD
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數(shù)：
10 頁
文件大?。?/span>
504.89 kb
資料說明：
N-CHANNEL 6A - 600V - DPAK PowerMESH TM IGBT

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGD3NB60HDT4
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
系列：
PowerMESH?
包裝：
管件
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，3A
開關能量：
33μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
5ns/53ns
測試條件：
480V，3A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
供應商器件封裝：
DPAK
描述：
IGBT 600V 10A 50W DPAK

供應商

企業(yè)：
深圳市一線半導體有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
云小姐/廖小姐
手機：
19168775913
詢價：
電話：
0755-88608801
傳真：
0755-88608801
地址：
深圳市福田區(qū)福田街道福華社區(qū)福虹路4號華強花園C座7A

STGD3NB60HD 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGD3NB60HD

產品屬性

供應商

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