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STGD19N40LZ 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

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  • 廠家型號(hào):

    STGD19N40LZ

  • 產(chǎn)品分類:

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商:

    STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

  • 庫(kù)存數(shù)量:

    25000

  • 產(chǎn)品封裝:

    TO-252

  • 生產(chǎn)批號(hào):

    20+

  • 庫(kù)存類型:

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間:

    2024-8-2 9:54:00

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原廠料號(hào):STGD19N40LZ品牌:ST

全新原裝現(xiàn)貨 假一賠十

STGD19N40LZ是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-252/TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63的STGD19N40LZ晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號(hào):

    STGD19N40LZ

  • 規(guī)格書:

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  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁(yè)數(shù):

    17 頁(yè)

  • 文件大?。?/span>

    1065.91 kb

  • 資料說明:

    Automotive-grade 390 V internally clamped IGBT ESCIS 180 mJ

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    STGD19N40LZ

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    Automotive, AEC-Q101

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):

    1.5V @ 4.5V,10A

  • 輸入類型:

    邏輯

  • 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:

    650ns/13.5μs

  • 測(cè)試條件:

    300V,10A,1 千歐,5V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    DPAK

  • 描述:

    IGBT 20V 40A DPAK

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市鵬錦翔科技有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    張經(jīng)理

  • 詢價(jià):
  • 地址:

    深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北新欣大廈B座320