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STGP20M65DF2分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書(shū)PDF中文資料

STGP20M65DF2
廠商型號(hào)

STGP20M65DF2
參數(shù)屬性

STGP20M65DF2 封裝/外殼為TO-220-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT TRENCH 650V 40A TO220
功能描述

Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT
IGBT TRENCH 650V 40A TO220
絲印標(biāo)識(shí)

G20M65DF2
封裝外殼

TO-220 / TO-220-3
文件大小

520.21 Kbytes
頁(yè)面數(shù)量

16 頁(yè)
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)
原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

原廠下載下載地址一下載地址二到原廠下載
更新時(shí)間

2025-2-3 23:00:00

STGP20M65DF2規(guī)格書(shū)詳情

STGP20M65DF2屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團(tuán)制造生產(chǎn)的STGP20M65DF2晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開(kāi)關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開(kāi)關(guān)能量和柵極電荷。

Features

? High short-circuit withstand time

? VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A

? Tight parameters distribution

? Safer paralleling

? Low thermal resistance

? Soft and very fast recovery antiparallel diode

Applications

? Motor control

? UPS

? PFC

? General-purpose inverters

Description

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate fieldstop

structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal

balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and

the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat)

temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling

operation.

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    STGP20M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場(chǎng)截止

  • 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開(kāi)關(guān)能量：

    140μJ（開(kāi)），560μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時(shí) Td（開(kāi)/關(guān)）值：

    26ns/108ns

  • 測(cè)試條件：

    400V，20A，12 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT TRENCH 650V 40A TO220

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
ST(意法半導(dǎo)體)
23+
TO-220
1612
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ST(意法)
23+
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ST/意法半導(dǎo)體
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TO-220-3
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