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STGP20M65DF2

Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, M series low-loss IGBT

Features ?Highshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=20A ?Tightparametersdistribution ?Saferparalleling ?Lowthermalresistance ?Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode Applications ?Motorcontrol ?UPS ?PFC ?General-purposeinverters Des

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STGP20M65DF2

包裝：管件 封裝/外殼：TO-220-3 類別：分立半導體產品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：IGBT TRENCH 650V 40A TO220

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STGF20M65DF2

TrenchgateField-StopIGBT

DESCRIPTION ·LowSaturationVoltage:VCE(sat)=1.55V@IC=15A ·HighCurrentCapability ·HighInputImpedance ·Lowthermalresistance APPLICATIONS ·SynchronousRectificationinSMPS ·MotorDrives ·UPS,PFC ·Generalpurposeinverter

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STGF20M65DF2

Trenchgatefield-stop,Mseries,650V,20A,low-lossIGBT

Features ?Highshort-circuitwithstandtime ?VCE(sat)=1.55V(typ.)@IC=20A ?Tightparameterdistribution ?Saferparalleling ?Lowthermalresistance ?Softandveryfastrecoveryantiparalleldiode Applications ?Motorcontrol ?UPS ?PFC ?General-purposeinverters Desc

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意法半導體意法半導體集團

產品屬性

  • 產品編號：

    STGP20M65DF2

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列：

    M

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開關能量：

    140μJ（開），560μJ（關）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關）值：

    26ns/108ns

  • 測試條件：

    400V，20A，12 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    IGBT TRENCH 650V 40A TO220

供應商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGP20M65DF2供應商 更新時間2024-12-26 15:15:00

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