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STGP30H60DFB

Marking：GP30H60DFB；Package：TO-220；Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHBseries ofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve

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意法半導體意法半導體集團

STGP30H60DFB

Package：TO-220-3；包裝：管件 類別：分立半導體產(chǎn)品 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 描述：TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

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STGW30H60DF

600V,30Ahighspeedtrenchgatefield-stopIGBT

Description ThisdeviceisanIGBTdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThisIGBTseriesofferstheoptimum compromisebetweenconductionandswitching losses,maximizingtheefficiencyofveryhigh frequencyconverters.Furthermore,apositive VCE(s

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STGW30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert

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STGW30H60DLFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgateandfieldstop structure.ThedeviceispartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching lossestomaximizetheefficiencyofany frequencyconve

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STGWA30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert

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STGWT30H60DFB

Trenchgatefield-stopIGBT,HBseries600V,30Ahighspeed

Description ThesedevicesareIGBTsdevelopedusingan advancedproprietarytrenchgatefield-stop structure.ThesedevicesarepartofthenewHB seriesofIGBTs,whichrepresentanoptimum compromisebetweenconductionandswitching losstomaximizetheefficiencyofanyfrequency convert

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STPS30H60C

Avalancherated

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STPS30H60CFP

Avalancherated

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STPS30H60CG

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產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號：

    STGP30H60DFB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，30A

  • 開關(guān)能量：

    383μJ（開），293μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標準

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    37ns/146ns

  • 測試條件：

    400V，30A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-220

  • 描述：

    TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多STGP30H60DFB供應(yīng)商 更新時間2025-1-26 23:00:00

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