STGP30H60DFB 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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1+	面議

廠家型號：
STGP30H60DFB
產品分類：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
生產廠商：
ST/意法半導體
庫存數量：
8860
產品封裝：
TO-220-3
生產批號：
21+
庫存類型：
常用庫存
更新時間：
2025-1-27 16:38:00

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原廠料號：STGP30H60DFB品牌：ST/意法半導體

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STGP30H60DFB是分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法半導體/STMicroelectronics生產封裝TO-220-3的STGP30H60DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關特性。其特征參數包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGP30H60DFB
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內容頁數：
21 頁
文件大小：
1753.73 kb
資料說明：
Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

產品屬性

類型
描述
產品編號：
STGP30H60DFB
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
開關能量：
383μJ（開），293μJ（關）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關）值：
37ns/146ns
測試條件：
400V，30A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-220-3
供應商器件封裝：
TO-220
描述：
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, HB

供應商

企業(yè)：
深圳市恒凱威科技開發(fā)有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯系人：
朱小姐
手機：
18928498787
詢價：
電話：
0755-22318162/0755-22207335
傳真：
0755-22318162
地址：
深圳市福田區(qū)華強北上步工業(yè)區(qū)101棟610A室

STGP30H60DFB 分立半導體產品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGP30H60DFB

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