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STGW20H65FB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGW20H65FB
廠商型號

STGW20H65FB
參數(shù)屬性

STGW20H65FB 封裝/外殼為TO-247-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 40A 168W TO247
功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed
IGBT 650V 40A 168W TO247
絲印標(biāo)識

GW20H65FB
封裝外殼

TO-247 / TO-247-3
文件大小

1.50257 Mbytes
頁面數(shù)量

20 頁
生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng)
原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-10 19:10:00
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STGW20H65FB規(guī)格書詳情

STGW20H65FB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGW20H65FB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

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  • 產(chǎn)品編號：

    STGW20H65FB

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 類別：

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝：

    管件

  • IGBT 類型：

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：

    2V @ 15V，20A

  • 開關(guān)能量：

    77μJ（開），170μJ（關(guān)）

  • 輸入類型：

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：

    30ns/139ns

  • 測試條件：

    400V，20A，10 歐姆，15V

  • 工作溫度：

    -55°C ~ 175°C（TJ）

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    TO-247-3

  • 描述：

    IGBT 650V 40A 168W TO247

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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