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STGW40N120KD 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體

STGW40N120KD參考圖片

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原廠料號:STGW40N120KD品牌:ST/意法

原裝正品.假一賠百.正規(guī)渠道.原廠追溯.

STGW40N120KD是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/意法/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247/TO-247-3的STGW40N120KD晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

  • 芯片型號:

    STGW40N120KD

  • 規(guī)格書:

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱:

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱:

    STMicroelectronics

  • 中文名稱:

    意法半導(dǎo)體集團(tuán)

  • 內(nèi)容頁數(shù):

    15 頁

  • 文件大小:

    763.2 kb

  • 資料說明:

    40 A, 1200 V short circuit rugged IGBT with Ultrafast diode

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號:

    STGW40N120KD

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 系列:

    PowerMESH?

  • 包裝:

    管件

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    3.85V @ 15V,30A

  • 開關(guān)能量:

    3.7mJ(開),5.7mJ(關(guān))

  • 輸入類型:

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 25°C 時 Td(開/關(guān))值:

    48ns/338ns

  • 測試條件:

    960V,30A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 125°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    TO-247-3

  • 描述:

    IGBT 1200V 80A 240W TO247

供應(yīng)商

  • 企業(yè):

    深圳市向鴻偉業(yè)電子有限公司

  • 商鋪:

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人:

    李先生

  • 手機(jī):

    13751179224

  • 詢價:
  • 電話:

    0755-82561519/0755-82567969/18928435545

  • 傳真:

    0755-82561519

  • 地址:

    深圳市福田區(qū)上步工業(yè)區(qū)304棟西5樓503室