STGWT20H60DF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

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廠家型號：
STGWT20H60DF
產(chǎn)品分類：
芯片
生產(chǎn)廠商：
ST
庫存數(shù)量：
1682
產(chǎn)品封裝：
TO-3P
生產(chǎn)批號：
21+
庫存類型：
優(yōu)勢庫存
更新時間：
2025-1-22 8:26:00

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原廠料號：STGWT20H60DF品牌：ST

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STGWT20H60DF是分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-3P/TO-3P-3，SC-65-3的STGWT20H60DF晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。

芯片型號：
STGWT20H60DF
規(guī)格書：
下載下載2
企業(yè)簡稱：
STMICROELECTRONICS【意法半導體】詳情
廠商全稱：
STMicroelectronics
中文名稱：
意法半導體集團
內(nèi)容頁數(shù)：
17 頁
文件大小：
1298.89 kb
資料說明：
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
STGWT20H60DF
制造商：
STMicroelectronics
類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
包裝：
管件
IGBT 類型：
溝槽型場截止
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，20A
開關(guān)能量：
209μJ（開），261μJ（關(guān)）
輸入類型：
標準
25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
42.5ns/177ns
測試條件：
400V，20A，10 歐姆，15V
工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：
通孔
封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
供應商器件封裝：
TO-3P
描述：
IGBT 600V 40A 167W TO3PF

供應商

企業(yè)：
深圳市凌旭科技有限公司
商鋪：
進入商鋪
聯(lián)系人：
張小姐/李先生
手機：
13692179527
詢價：
電話：
0755-82797778/83234215
傳真：
0755-82705678
地址：
深圳市福田區(qū)紅荔路上步工業(yè)區(qū)501棟407

STGWT20H60DF 分立半導體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導體

STGWT20H60DF

產(chǎn)品屬性

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