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STGWT60H65DFB 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - UGBT、MOSFET - 單 STMICROELECTRONICS/意法半導(dǎo)體
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原廠料號(hào):STGWT60H65DFB品牌:ST
一級(jí)代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
STGWT60H65DFB是分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單。制造商ST/STMicroelectronics生產(chǎn)封裝TO-247/TO-3P-3,SC-65-3的STGWT60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個(gè)端子的多層半導(dǎo)體器件,能夠處理大電流,具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號(hào):
STGWT60H65DFB
- 制造商:
STMicroelectronics
- 類別:
- 包裝:
管件
- IGBT 類型:
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時(shí)?Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,60A
- 開關(guān)能量:
1.09mJ(開),626μJ(關(guān))
- 輸入類型:
標(biāo)準(zhǔn)
- 25°C 時(shí) Td(開/關(guān))值:
51ns/160ns
- 測試條件:
400V,60A,5 歐姆,15V
- 工作溫度:
-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安裝類型:
通孔
- 封裝/外殼:
TO-3P-3,SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝:
TO-3P
- 描述:
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
供應(yīng)商
- 企業(yè):
貿(mào)澤芯城(深圳)電子科技有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
陳先生/周小姐
- 手機(jī):
18923718265
- 詢價(jià):
- 電話:
0755-82721010
- 傳真:
0755-28225816
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北街道福強(qiáng)社區(qū)華強(qiáng)北路1016號(hào)寶華大廈A座、B座A座16層1611室/亞太地區(qū)XILINX、ALTERA、LATTICE、AD、TI、ST、infineon、NXP、Microchip一級(jí)代理商
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