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STH110N7F6-2中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書
| 廠商型號(hào) |
STH110N7F6-2 |
| 功能描述 | N-channel 68 V, 0.0053 Ω typ.,110 A, STripFET? F6 Power MOSFET in a H2PAK-2 package |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | H2PAK-2 |
| 文件大小 |
912.92 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
17 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-3-6 13:02:00 |
| 人工找貨 | STH110N7F6-2價(jià)格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STH110N7F6-2規(guī)格書詳情
Features
? Very low on-resistance
? Very low gate charge
? High avalanche ruggedness
? Low gate drive power loss
Applications
? Switching applications
Description
This device is an N-channel Power MOSFET
developed using the STripFET? F6 technology
with a new trench gate structure. The resulting
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all
packages.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
STMicroelectronics |
21+ |
H2Pak-2 |
2000 |
100%進(jìn)口原裝!長期供應(yīng)!絕對(duì)優(yōu)勢(shì)價(jià)格(誠信經(jīng)營)! |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
H2Pak-2 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價(jià) | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一級(jí)代理-主營優(yōu)勢(shì)-實(shí)惠價(jià)格-不悔選擇 |
詢價(jià) | |||
ST |
21+ |
原廠原封 |
23480 |
詢價(jià) | |||
22+ |
NA |
3000 |
加我QQ或微信咨詢更多詳細(xì)信息, |
詢價(jià) | |||
ST |
2405+ |
原廠封裝 |
50000 |
15年芯片行業(yè)經(jīng)驗(yàn)/只供原裝正品:0755-83268967鄒小姐 |
詢價(jià) | ||
STMicroelectronics |
2022+ |
TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片 |
38550 |
全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨(dú)立分銷 |
詢價(jià) | ||
STM |
1809+ |
TO263-2 |
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