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STGY80H65DFB分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料

STGY80H65DFB
廠商型號

STGY80H65DFB

參數(shù)屬性

STGY80H65DFB 封裝/外殼為TO-247-3;包裝為管件;類別為分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單;產(chǎn)品描述:IGBT 650V 120A 469W MAX247

功能描述

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed
IGBT 650V 120A 469W MAX247

絲印標識

GY80H65DFB

封裝外殼

Max247 / TO-247-3

文件大小

1.46448 Mbytes

頁面數(shù)量

22

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-6 14:20:00

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STGY80H65DFB規(guī)格書詳情

STGY80H65DFB屬于分立半導體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導體集團制造生產(chǎn)的STGY80H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種具有三個端子的多層半導體器件,能夠處理大電流,具有快速開關特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關能量和柵極電荷。

產(chǎn)品屬性

更多
  • 產(chǎn)品編號:

    STGY80H65DFB

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 類別:

    分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

  • 包裝:

    管件

  • IGBT 類型:

    溝槽型場截止

  • 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,80A

  • 開關能量:

    2.1mJ(開),1.5mJ(關)

  • 輸入類型:

    標準

  • 25°C 時 Td(開/關)值:

    84ns/280ns

  • 測試條件:

    400V,80A,10 歐姆,15V

  • 工作溫度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安裝類型:

    通孔

  • 封裝/外殼:

    TO-247-3

  • 供應商器件封裝:

    MAX247?

  • 描述:

    IGBT 650V 120A 469W MAX247

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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