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STGWT60H65DFB分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單規(guī)格書PDF中文資料
| 廠商型號 |
STGWT60H65DFB |
| 參數(shù)屬性 | STGWT60H65DFB 封裝/外殼為TO-3P-3，SC-65-3；包裝為管件；類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單；產(chǎn)品描述：IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L |
| 功能描述 | Low thermal resistance |
| 封裝外殼 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 文件大小 |
1.57984 Mbytes |
| 頁面數(shù)量 |
19 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡稱 |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱 | 意法半導(dǎo)體集團官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2025-5-6 23:40:00 |
| 人工找貨 | STGWT60H65DFB價格和庫存，歡迎聯(lián)系客服免費人工找貨 |
STGWT60H65DFB規(guī)格書詳情
STGWT60H65DFB屬于分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-UGBT、MOSFET-單。由意法半導(dǎo)體集團制造生產(chǎn)的STGWT60H65DFB晶體管 - UGBT、MOSFET - 單單 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種具有三個端子的多層半導(dǎo)體器件，能夠處理大電流，具有快速開關(guān)特性。其特征參數(shù)包括類型、集射極擊穿電壓、集電極電流、脈沖集電極電流、VCE(ON)、開關(guān)能量和柵極電荷。
產(chǎn)品屬性
更多- 產(chǎn)品編號：
STGWT60H65DFB
- 制造商：
STMicroelectronics
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 包裝：
管件
- IGBT 類型：
溝槽型場截止
- 不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，60A
- 開關(guān)能量：
1.09mJ（開），626μJ（關(guān)）
- 輸入類型：
標準
- 25°C 時 Td（開/關(guān)）值：
51ns/160ns
- 測試條件：
400V，60A，5 歐姆，15V
- 工作溫度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-3P-3，SC-65-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-3P
- 描述：
IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST意法 |
21+ |
TO-247 |
3600 |
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢價 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3340 |
原廠直銷,現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
24+ |
TO-3P |
928 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價 | ||
ST |
24+ |
TO247 |
80000 |
只做自己庫存,全新原裝進口正品假一賠百,可開13%增 |
詢價 | ||
ST |
2019 |
TO-247 |
19700 |
INFINEON品牌專業(yè)原裝優(yōu)質(zhì) |
詢價 | ||
ST |
22+23+ |
TO-3P |
8000 |
新到現(xiàn)貨，只做原裝進口 |
詢價 | ||
ST(意法半導(dǎo)體) |
2024+ |
TO-3P |
500000 |
誠信服務(wù),絕對原裝原盤 |
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO-247 |
3600 |
全新原裝公司現(xiàn)貨
|
詢價 | ||
ST |
21+ |
TO |
9850 |
只做原裝正品假一賠十!正規(guī)渠道訂貨! |
詢價 | ||
STMicroelectronics |
24+ |
TO-3P-3,SC-65-3 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢價 |
