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STH13N120K5-2AG中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STH13N120K5-2AG
廠商型號

STH13N120K5-2AG

功能描述

Automotive-grade N-channel 1200 V, 0.62 typ., 12 A, MDmesh K5 Power MOSFET in an H2PAK?2 package

文件大小

584.99 Kbytes

頁面數(shù)量

15

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時間

2025-3-5 20:03:00

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STH13N120K5-2AG規(guī)格書詳情

Features

? AEC-Q101 qualified

? Industry’s lowest RDS(on) x area

? Industry’s best FoM (figure of merit)

? Ultra-low gate charge

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Description

This very high voltage N-channel Power MOSFET is designed using MDmesh K5

technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a

dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications

requiring superior power density and high efficiency.

Applications

? Switching applications

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
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