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STH200N55F3-2

N-channel 55 V, 1.8 mΩ, 160 A, H2PAK STripFET? III Power MOSFET

Features ■Ultralowon-resistance ■100avalanchetested Application ■Switchingapplications Description ThisSTripFET?IIIPowerMOSFETtechnologyis amongthelatestimprovements,whichhavebeen especiallytailoredtominimizeon-stateresistance providingsuperiorswitchingperf

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STH200N55F3-2供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-13 15:30:00

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