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STH80N10LF7-2AG中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書(shū)
| 廠商型號(hào) |
STH80N10LF7-2AG |
| 功能描述 | Automotive-grade N-channel 100 V, 7 mΩ typ., 80 A, STripFET? F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 package |
| 絲印標(biāo)識(shí) | |
| 封裝外殼 | H2PAK-2 |
| 文件大小 |
626.24 Kbytes |
| 頁(yè)面數(shù)量 |
14 頁(yè) |
| 生產(chǎn)廠商 | STMicroelectronics |
| 企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng) |
STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】 |
| 中文名稱(chēng) | 意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng) |
| 原廠標(biāo)識(shí) |  |
| 數(shù)據(jù)手冊(cè) | |
| 更新時(shí)間 | 2025-5-9 20:00:00 |
| 人工找貨 | STH80N10LF7-2AG價(jià)格和庫(kù)存，歡迎聯(lián)系客服免費(fèi)人工找貨 |
STH80N10LF7-2AG規(guī)格書(shū)詳情
Features
? AEC-Q101 qualified
? Among the lowest RDS(on) on the market
? Excellent FoM (figure of merit)
? Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
? High avalanche ruggedness
Applications
? Switching applications
Description
This N-channel Power MOSFET utilizes STripFET? F7 technology with an
enhanced trench gate structure that results in very low on-state resistance, while also
reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.
| 供應(yīng)商 | 型號(hào) | 品牌 | 批號(hào) | 封裝 | 庫(kù)存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM/羅姆 |
22+ |
TO-3P |
100000 |
代理渠道/只做原裝/可含稅 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
H2PAK-3 |
8080 |
只做原裝,質(zhì)量保證 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
16+ |
TO-263 |
96 |
一級(jí)代理,專(zhuān)注軍工、汽車(chē)、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
21+ |
H2PAK-3 |
28680 |
公司只做原裝,誠(chéng)信經(jīng)營(yíng) |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
H2PAK-3 |
6000 |
全新原裝深圳倉(cāng)庫(kù)現(xiàn)貨有單必成 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法半導(dǎo)體 |
24+ |
H2PAK-3 |
30000 |
原裝正品公司現(xiàn)貨,假一賠十! |
詢(xún)價(jià) | ||
STMicroelectronics |
24+ |
H2Pak-2 |
30000 |
晶體管-分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-原裝正品 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST |
25+ |
TO-263 |
18000 |
全新原裝 |
詢(xún)價(jià) | ||
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3346 |
原廠直銷(xiāo),現(xiàn)貨供應(yīng),賬期支持! |
詢(xún)價(jià) | ||
STH |
24+ |
SOT23-6 |
5000 |
全新原裝正品,現(xiàn)貨銷(xiāo)售 |
詢(xún)價(jià) |
