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STI22NM60

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STI22NM60N

N-channel 600 V, 0.2 廓, 16 A MDmesh??II Power MOSFET

Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STI22NM60N

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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STP22NM60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

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STP22NM60

N-CHANNEL600V-0.19ohm-22ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247MDmesh??owerMOSFET

DESCRIPTION ThisimprovedversionofMDmesh?whichisbasedonMultipleDrainprocessrepresentsthenewbenchmarkinhighvoltageMOSFETs.Theresultingproductexhibitsevenloweron-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.TheadoptionoftheCompany’spropr

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STP22NM60N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

?FEATURES ?Lowinputcapacitanceandgatecharge ?Lowgateinputresistances ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation ?APPLICATIONS ?Switchingapplications

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

STP22NM60N

N-channel600V,0.2廓,16AMDmesh??IIPowerMOSFET

Description ThesedevicesaremadeusingthesecondgenerationofMDmesh?technology.ThisrevolutionaryPowerMOSFETassociatesanewverticalstructuretothecompany’sstriplayouttoyieldoneoftheworld’sloweston-resistanceandgatecharge.Itisthereforesuitableforthemostdemanding

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團

STW22NM60

N-CHANNEL600V-0.19ohm-22ATO-220/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247MDmesh??owerMOSFET

DESCRIPTION ThisimprovedversionofMDmesh?whichisbasedonMultipleDrainprocessrepresentsthenewbenchmarkinhighvoltageMOSFETs.Theresultingproductexhibitsevenloweron-resistance,impressivelyhighdv/dtandexcellentavalanchecharacteristics.TheadoptionoftheCompany’spropr

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

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STW22NM60

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=22A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.25Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

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STW22NM60N

IscN-ChannelMOSFETTransistor

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詳細參數(shù)

  • 型號：

    STI22NM60

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 30V 16A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    Mdmesh™ II

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
STMicroelectronics
18+
NA
3304
進口原裝正品優(yōu)勢供應(yīng)
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I2PAK
28500
授權(quán)代理直銷,原廠原裝現(xiàn)貨,假一罰十,特價銷售
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TO-262
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
9000
原廠渠道,現(xiàn)貨配單
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STMicroelectronics
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全新原裝 支持表配單 中國著名電子元器件獨立分銷
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TO2623 Long Leads I2Pak TO262A
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只做原裝現(xiàn)貨
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一級代理-主營優(yōu)勢-實惠價格-不悔選擇
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2020+
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百分百原裝正品 真實公司現(xiàn)貨庫存 本公司只做原裝 可
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原裝現(xiàn)貨假一賠十
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更多STI22NM60供應(yīng)商 更新時間2025-1-28 14:15:00

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