首頁>STI6N62K3>芯片詳情

STI6N62K3_ST意法_MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK和潤天下電子

圖片僅供參考，請參閱產(chǎn)品規(guī)格書

訂購數(shù)量 價格
1+
  • 廠家型號：

    STI6N62K3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    ST意法

  • 庫存數(shù)量：

    569888

  • 產(chǎn)品封裝：

    21+

  • 生產(chǎn)批號：

    N/A

  • 庫存類型：

    常用庫存

  • 更新時間：

    2024-11-7 8:30:00

  • 詳細信息
  • 規(guī)格書下載

原廠料號：STI6N62K3品牌：ST意法

原裝正品現(xiàn)貨 支持BOM配單!

  • 芯片型號：

    STI6N62K3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡稱：

    STMICROELECTRONICS【意法半導(dǎo)體】詳情

  • 廠商全稱：

    STMicroelectronics

  • 中文名稱：

    意法半導(dǎo)體（ST）集團

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    19 頁

  • 文件大小：

    1052.44 kb

  • 資料說明：

    N-channel 620 V, 0.95 廓 typ., 5.5 A SuperMESH3 Power MOSFET in TO-220FP, IPAKFP, IPAK, TO-220, IPAK packages

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號：

    STI6N62K3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH 620V 5.5A I2PAK

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    SuperMESH3™

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳和潤天下電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    彭先生

  • 手機：

    19129491930

  • 詢價：
  • 電話：

    0755-83798281

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北 華強廣場D棟16層16B

相近型號