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STP11N65M2中文資料意法半導體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP11N65M2
廠商型號

STP11N65M2

功能描述

Extremely low gate charge

文件大小

1.17856 Mbytes

頁面數(shù)量

21

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導體

中文名稱

意法半導體集團官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2025-1-12 22:30:00

STP11N65M2規(guī)格書詳情

Description

These devices are N-channel Power MOSFETs developed using a new generation of MDmesh? technology: MDmesh II Plus? low Qg. These revolutionary Power MOSFETs associate a vertical structure to the companys strip layout to yield one of the worlds lowest on-resistance and gate charge. They are therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

Features

? Extremely low gate charge

? Lower RDS(on) x area vs previous generation

? Low gate input resistance

? 100 avalanche tested

? Zener-protected

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
ST
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