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STP33N60DM6中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書

STP33N60DM6
廠商型號

STP33N60DM6

功能描述

N-channel 600 V, 115 m typ., 25 A, MDmesh? DM6 Power MOSFET in a TO?220 package

文件大小

273.33 Kbytes

頁面數(shù)量

12

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識
數(shù)據(jù)手冊

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更新時(shí)間

2025-2-4 23:00:00

STP33N60DM6規(guī)格書詳情

Features

? Fast-recovery body diode

? Lower RDS(on) per area vs previous generation

? Low gate charge, input capacitance and resistance

? 100 avalanche tested

? Extremely high dv/dt ruggedness

? Zener-protected

? High-creepage package

Description

This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh DM6 fastrecovery

diode series. Compared with the previous MDmesh fast generation, DM6

combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent

improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors

available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and

ZVS phase-shift converters.

Applications

? Switching applications

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價(jià)格
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