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STP60N043DM9

N-channel 600 V, 38 mΩ typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET in a TO-220 package

Features ?Fast-recoverybodydiode ?WorldwidebestRDS(on)perareaamongsilicon-basedfastrecoverydevices ?Lowgatecharge,inputcapacitanceandresistance ?100avalanchetested ?Extremelyhighdv/dtruggedness Description ThisN-channelPowerMOSFETisbasedonthemostinnovat

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STP60N043DM9供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-3-8 11:06:00