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STS5P3LLH6

Marking:5K3L;Package:SO-8;P-channel 30 V, 0.048 ??typ., 5 A STripFET??H6 DeepGATE??Power MOSFET in an SO-8 package

Description ThisdeviceisaP-channelPowerMOSFET developedusingtheSTripFET?H6technology withanewtrenchgatestructure.Theresulting PowerMOSFETexhibitsverylowRDS(on)inall packages. Features ?Verylowon-resistanceRDS(on) ?Verylowgatecharge ?Highavalancherugge

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán)

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更多STS5P3LLH6供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-2-21 8:30:00