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零件編號(hào)	下載&訂購	功能描述	制造商&上傳企業(yè)	LOGO
STS8201	文件：565.17 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor FEATURES ●SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON). ●Ruggedandreliable. ●SurfaceMountPackage. ●ESDProtected.	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STS8201	文件：442.48 Kbytes Page：8 Pages	Dual N-Channel MOSFET FEATURES ?Halogen-freeOptionAvailable ?TrenchFET?PowerMOSFETs ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TA8201	文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TA8201AH	文件：488.37 Kbytes Page：11 Pages	18WBTLx2CHAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TA8201AK	文件：413.12 Kbytes Page：8 Pages	BTLAUDIOPOWERAMPLIFIER	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TD8201	文件：547.51 Kbytes Page：11 Pages	WhiteLEDStep-upConverter	TECHCODETECHCODE SEMICONDUCTOR, INC. 泰德美國泰德半導(dǎo)體有限公司	TECHCODE
TISP8201HDM	文件：481.45 Kbytes Page：7 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201HDMR-S	文件：860.58 Kbytes Page：1 Pages	GR-1089-COREDualSupplyVoltage	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201M	文件：286.01 Kbytes Page：11 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TISP8201MDR-S	文件：329.38 Kbytes Page：13 Pages	COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION	BournsBourns Electronic Solutions 伯恩斯	Bourns
TLE8201R	文件：598.93 Kbytes Page：45 Pages	DoorModulePowerIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飛凌英飛凌科技股份公司	Infineon
TPC8201	文件：344.35 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：1.88033 Mbytes Page：8 Pages	DualN-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
TPCF8201	文件：232.71 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCF8201	文件：187.23 Kbytes Page：7 Pages	FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII) NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：250.04 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA
TPCP8201	文件：248.63 Kbytes Page：7 Pages	PortableEquipmentApplications PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications ?Lead(Pb)-Free ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:\|Yfs\|=7.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) ?Enhancementmode:Vth=	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會(huì)社東芝	TOSHIBA

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詳細(xì)參數(shù)

型號(hào)：
STS8201
制造商：
SAMHOP
制造商全稱：
SAMHOP
功能描述：
Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商	型號(hào)	品牌	批號(hào)	封裝	庫存	備注	價(jià)格
深圳市河鋒鑫科技有限公司	STS8201	SAMHOP/三合微科	20+	TSOP-6	120000	原裝正品可含稅交易	詢價(jià)
深圳市一線半導(dǎo)體有限公司	STS8201	三和微	24+	tssop86	3000		詢價(jià)
深圳兆威電子有限公司	STS8201	SAMHOP	23+	SOT26	63000	原裝正品現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳誠思涵科技有限公司	STS8201	原裝SAMHOP	19+	SOT23-6	20000		詢價(jià)
深圳市科恒偉業(yè)電子有限公司	STS8201	SAMHOP	1942+	SOT23-6	9852	只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十!	詢價(jià)
深圳市納艾斯科技有限公司	STS8201	S	2020+	TSMT6	80000	只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增	詢價(jià)
深圳市維爾達(dá)電子有限公司	STS8201	SAMHOP	2023+	SOT-23-6	80000	一級(jí)代理/分銷渠道價(jià)格優(yōu)勢(shì) 十年芯程一路只做原裝正品	詢價(jià)
瀚佳科技(深圳)有限公司	STS8201	原裝SAMHOP	24+	SOT23-6	35200	一級(jí)代理/放心采購	詢價(jià)
深圳市鼎欣微電子有限公司	STS8201	SAMHOP/三合微科	21+	SOT23-6	19000	只做正品原裝現(xiàn)貨	詢價(jià)
深圳市航潤(rùn)創(chuàng)能電子集團(tuán)有限公司	STS8201	VBsemi/臺(tái)灣微碧	21+	TSMT6	33390	原裝現(xiàn)貨假一賠十	詢價(jià)

更多STS8201供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-11 14:00:00

詳細(xì)參數(shù)

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