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TISP8201MDR-S

COMPLEMENTARYBUFFERED-GATESCRSFORDUALPOLARITYSLICOVERVOLTAGEPROTECTION

BournsBourns Electronic Solutions

伯恩斯

TLE8201R

DoorModulePowerIC

InfineonInfineon Technologies AG

英飛凌英飛凌科技股份公司

TPC8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType

LithiumIonBatteryApplications PortableEquipmentApplications NotebookPCs ●Lowdrain?sourceONresistance:RDS(ON)=37m?(typ.) ●Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=6S(typ.) ●Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=30V) ●Enhancement?mode:Vth=0.8~2.0V(VDS=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

DualN-Channel20V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺灣）有限公司

TPCF8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCF8201

FieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

NotebookPCApplications PortableEquipmentApplications ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=5.4S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(max)(VDS=20V) ?Enhancement-mode:Vth=0.5to1.2V(VDS=10V,ID=200μA)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

TOSHIBAFieldEffectTransistorSiliconNChannelMOSType(U-MOSIII)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

TPCP8201

PortableEquipmentApplications

PortableEquipmentApplications MotorDriveApplications DC-DCConverterApplications ?Lead(Pb)-Free ?Lowdrain-sourceONresistance:RDS(ON)=38m?(typ.) ?Highforwardtransferadmittance:|Yfs|=7.0S(typ.) ?Lowleakagecurrent:IDSS=10μA(VDS=30V) ?Enhancementmode:Vth=

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會社東芝

詳細(xì)參數(shù)

  • 型號：

    STS8201

  • 制造商：

    SAMHOP

  • 制造商全稱：

    SAMHOP

  • 功能描述：

    Dual N-Channel E nhancement Mode Field Effect Transistor

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
SAMHOP/三合微科
20+
TSOP-6
120000
原裝正品 可含稅交易
 詢價
三和微
24+
tssop86
3000
詢價
SAMHOP
23+
SOT26
63000
原裝正品現(xiàn)貨
 詢價
原裝SAMHOP
19+
SOT23-6
20000
詢價
SAMHOP
1942+
SOT23-6
9852
只做原裝正品現(xiàn)貨或訂貨!假一賠十!
 詢價
S
24+
TSMT6
80000
只做自己庫存,全新原裝進(jìn)口正品假一賠百,可開13%增
 詢價
原裝SAMHOP
24+
SOT23-6
63200
一級代理/放心采購
 詢價
SAMHOP/三合微科
24+
SOT26
9600
原裝現(xiàn)貨,優(yōu)勢供應(yīng),支持實(shí)單!
 詢價
SAMHOP/三合微科
23+
SOT23-6
50000
全新原裝正品現(xiàn)貨,支持訂貨
 詢價
SAMHOP
07+;11+
SOT-23-6
800
一級代理,專注軍工、汽車、醫(yī)療、工業(yè)、新能源、電力
 詢價
更多STS8201供應(yīng)商 更新時間2025-4-26 14:00:00

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