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STU4N62K3

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STU4N62K3

N-channel 620 V, 1.7 廓 typ., 3.8 A SuperMESH3 Power MOSFET

Description TheseSuperMESH3?PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH?technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STU4N62K3

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

4N62K3

N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STB4N62K3

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半導體微碧半導體（臺灣）有限公司

STB4N62K3

N-channel620V,1.7廓,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STD4N62K3

N-channel620V,1.7廓,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STF4N62K3

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=620V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=2.0Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導體股份有限公司

STF4N62K3

N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET

Description TheseSuperMESH3?PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH?technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

STFI4N62K3

N-channel620V,1.7廓typ.,3.8ASuperMESH3PowerMOSFET

Description TheseSuperMESH3?PowerMOSFETsaretheresultofimprovementsappliedtoSTMicroelectronics’SuperMESH?technology,combinedwithanewoptimizedverticalstructure.Thesedevicesboastanextremelylowonresistance,superiordynamicperformanceandhighavalanchecapability,renderi

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半導體意法半導體集團

詳細參數(shù)

  • 型號：

    STU4N62K3

  • 功能描述：

    MOSFET N-Ch 620V 1.7 Ohm 3.8A SuperMESH 3

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性：

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓：

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓：

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流：

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS（導通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安裝風格：

    Through Hole

  • 封裝/箱體：

    Max247

  • 封裝：

    Tube

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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TO-251-3
2238
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更多STU4N62K3供應(yīng)商 更新時間2025-2-24 15:10:00

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