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STUD446S	文件：155.25 Kbytes Page：8 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
446	文件：80.13 Kbytes Page：1 Pages	EBFFuseFast-ActingType446/447Series	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
446	文件：212.71 Kbytes Page：2 Pages	HighPerformanceThermal-MagneticCircuitBreakers446/447/449	ETAETA SOLUTIONS CO. LIMITED 鈺泰半導(dǎo)體鈺泰半導(dǎo)體股份有限公司	ETA
446E	文件：236.5 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC10WT/RSWITCH,824-894MHz*	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
446E	文件：177.11 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMIC10WT/RSWITCH,824-894MHz*	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
446-K	文件：174.84 Kbytes Page：2 Pages	Heavydutyvehicles,batterysystems,processcontrol	ETAL ETAL Group	ETAL
446P	文件：330.3 Kbytes Page：1 Pages	350VoltSurfaceMountFuse	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
ACTF446A	文件：94.98 Kbytes Page：3 Pages	FRS&PMRmobileradioapplications	ACT Advanced Crystal Technology	ACT
ACTF446A	文件：164.74 Kbytes Page：3 Pages	SAWFilter	ACT Advanced Crystal Technology	ACT
ACTF446B	文件：132.6 Kbytes Page：3 Pages	MobileRadioApplications	ACT Advanced Crystal Technology	ACT
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AOD446	文件：1.008 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel100V(D-S)MOSFET FEATURES ?TrenchFET?PowerMOSFET ?175°CJunctionTemperature ?PWMOptimized ?100RgTested ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS ?PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOD446	文件：309.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ?Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneral purposeapplications. FEATURES ?DrainCurrent–ID=10A@TC=25℃ ?DrainSourceVoltage- :VDSS=75V(Min) ?StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=140mΩ(Max) ?100avalanchetested ?MinimumLot-to-L	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
AOD446	文件：198.98 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOD446L	文件：146.55 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAOD446usesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.ThisdeviceissuitableforuseinPWM,loadswitchingandgeneralpurposeapplications.StandardProductAOD446isPb-free(meetsROHS&Sony259specifications).AOD4	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 萬國半導(dǎo)體美國萬國半導(dǎo)體	AOSMD
AOI446	文件：1.02295 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半導(dǎo)體微碧半導(dǎo)體（臺(tái)灣）有限公司	VBSEMI
AOI446	文件：298.53 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=-80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=-30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=9mΩ(Max)@VGS=-10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-	ISCInchange Semiconductor Company Limited 無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司	ISC
ARF446	文件：405.79 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. ?Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF446	文件：61.2 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. ?Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	ADPOW Advanced Power Technology	ADPOW
ARF446G	文件：87.31 Kbytes Page：4 Pages	RFPOWERMOSFETsN-CHANNELENHANCEMENTMODE TheARF446andARF447compriseasymmetricpairofcommonsourceRFpowertransistorsdesignedforpush-pullscientific,commercial,medicalandindustrialRFpoweramplifierapplicationsupto65MHz. ?Specified250Volt,40.68MHzCharacteristics: OutputPower=140Watts. Gain=15d	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

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更多STUD446S供應(yīng)商更新時(shí)間2025-1-3 14:14:00

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