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STW9NC80Z中文資料意法半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)PDF規(guī)格書

STW9NC80Z
廠商型號(hào)

STW9NC80Z

功能描述

N-CHANNEL 800V - 0.82ohm - 9.4A TO-247 Zener-Protected PowerMESH??II MOSFET

文件大小

248.01 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

8 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 STMicroelectronics
企業(yè)簡(jiǎn)稱

STMICROELECTRONICS意法半導(dǎo)體

中文名稱

意法半導(dǎo)體集團(tuán)官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-1 23:00:00

STW9NC80Z規(guī)格書詳情

The third generation of MESH OVERLAY Power MOSFETs for very high voltage exhibits unsurpassed on-resistance per unit area while integrating back-to-back Zener diodes between gate and source. Such arrangement gives extra ESD capability with higher ruggedness performance as requested by a large variety of single-switch applications.

TYPICAL RDS(on) = 0.82?

EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY

GATE-TO-SOURCE ZENER DIODES

100 AVALANCHE TESTED

VERY LOW INTRINSIC CAPACITANCES

GATE CHARGE MINIMIZED

產(chǎn)品屬性

  • 型號(hào):

    STW9NC80Z

  • 功能描述:

    MOSFET TO-247

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶體管極性:

    N-Channel

  • 汲極/源極擊穿電壓:

    650 V

  • 閘/源擊穿電壓:

    25 V

  • 漏極連續(xù)電流:

    130 A 電阻汲極/源極

  • RDS(導(dǎo)通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安裝風(fēng)格:

    Through Hole

  • 封裝/箱體:

    Max247

  • 封裝:

    Tube

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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