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SUD35N10-26P-T4GE3_VISHAY/威世科技_MOSFET N-CH D-S 100V TO252宏捷佳二部

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  • 廠家型號(hào)：

    SUD35N10-26P-T4GE3

  • 產(chǎn)品分類：

    芯片

  • 生產(chǎn)廠商：

    Vishay

  • 庫(kù)存數(shù)量：

    12300

  • 產(chǎn)品封裝：

    TO252

  • 生產(chǎn)批號(hào)：

    24+

  • 庫(kù)存類型：

    常用庫(kù)存

  • 更新時(shí)間：

    2025-1-17 14:08:00

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原廠料號(hào)：SUD35N10-26P-T4GE3品牌：Vishay

獨(dú)立分銷商 公司只做原裝 誠(chéng)心經(jīng)營(yíng) 免費(fèi)試樣正品保證

  • 芯片型號(hào)：

    SUD35N10-26P-T4GE3

  • 規(guī)格書：

    下載

  • 企業(yè)簡(jiǎn)稱：

    VISHAY【威世科技】詳情

  • 廠商全稱：

    Vishay Siliconix

  • 中文名稱：

    威世科技半導(dǎo)體

  • 資料說(shuō)明：

    MOSFET N-CH D-S 100V TO252

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 型號(hào)：

    SUD35N10-26P-T4GE3

  • 功能描述：

    MOSFET N-CH D-S 100V TO252

  • RoHS：

    是

  • 類別：

    分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單

  • 系列：

    TrenchFET®

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝：

    1,000

  • 系列：

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型：

    MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET

  • 特點(diǎn)：

    邏輯電平門

  • 漏極至源極電壓(Vdss)：

    200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25°

  • C：

    18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C：

    180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的

  • Vgs(th)（最大）：

    4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @

  • Vgs：

    72nC @ 10V 輸入電容(Ciss) @

  • Vds：

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大：

    40W

  • 安裝類型：

    通孔

  • 封裝/外殼：

    TO-220-3 整包

  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝：

    TO-220FP

  • 包裝：

    管件

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市宏捷佳電子科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    許小姐

  • 手機(jī)：

    13530520535

  • 詢價(jià)：
  • 電話：

    0755-83201583/83214703

  • 傳真：

    0755-22669259

  • 地址：

    福田區(qū)華強(qiáng)北路上步工業(yè)區(qū)102棟620室

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