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T301201	文件：68.24 Kbytes Page：1 Pages	ALL DIMENSIONS IN MM [INCH]	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
T301202	文件：123.04 Kbytes Page：1 Pages	PLATING MATERIAL: GOLD	E-SWITCH E-switch	E-SWITCH
TMBR30120CT	文件：462.57 Kbytes Page：4 Pages	Guardringforovervoltageprotectionnull	BWTECH Bruckewell Technology LTD	BWTECH
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V30120C	文件：168.11 Kbytes Page：5 Pages	DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifierUltraLowVF=0.50VatIF=5A DualHigh-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.50VatIF=5A FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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V30120S	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 ?AEC-Q101qualified ?ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30120S	文件：228.42 Kbytes Page：6 Pages	HighVoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof245°C(forTO-263AB package) ?Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,per JESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
V30120SG	文件：141.11 Kbytes Page：5 Pages	High-VoltageTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier FEATURES ?TrenchMOSSchottkytechnology ?Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses ?Highefficiencyoperation ?Solderbathtemperature275°Cmax.10s, perJESD22-B106 ?Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATION	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半導(dǎo)體	Vishay
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更多T30120供應(yīng)商更新時(shí)間2024-12-25 14:36:00

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