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TAN350分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻規(guī)格書(shū)PDF中文資料

TAN350
廠商型號(hào)

TAN350

參數(shù)屬性

TAN350 封裝/外殼為55ST;包裝為散裝;類(lèi)別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-射頻;產(chǎn)品描述:RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

功能描述

high power COMMON BASE bipolar transistor.

封裝外殼

55ST

文件大小

711.29 Kbytes

頁(yè)面數(shù)量

4 頁(yè)

生產(chǎn)廠商 Advanced Power Technology
企業(yè)簡(jiǎn)稱(chēng)

ADPOW

中文名稱(chēng)

Advanced Power Technology官網(wǎng)

原廠標(biāo)識(shí)
數(shù)據(jù)手冊(cè)

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更新時(shí)間

2025-2-23 17:46:00

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TAN350規(guī)格書(shū)詳情

GENERAL DESCRIPTION

The TAN350 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào):

    TAN350

  • 制造商:

    Microsemi Corporation

  • 類(lèi)別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 射頻

  • 包裝:

    散裝

  • 晶體管類(lèi)型:

    NPN

  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):

    65V

  • 頻率 - 躍遷:

    960MHz ~ 1.215GHz

  • 增益:

    7dB ~ 7.5dB

  • 功率 - 最大值:

    1450W

  • 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    10 @ 1A,5V

  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):

    40A

  • 工作溫度:

    230°C(TJ)

  • 安裝類(lèi)型:

    底座安裝

  • 封裝/外殼:

    55ST

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    55ST

  • 描述:

    RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫(kù)存 備注 價(jià)格
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