TAN350中文資料ADPOW數(shù)據(jù)手冊PDF規(guī)格書
| 廠商型號 |
TAN350 |
| 參數(shù)屬性 | TAN350 封裝/外殼為55ST；包裝為散裝；類別為分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻；產(chǎn)品描述：RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST |
| 功能描述 | high power COMMON BASE bipolar transistor. |
| 文件大小 |
711.29 Kbytes |
| 頁面數(shù)量 |
4 頁 |
| 生產(chǎn)廠商 | Advanced Power Technology |
| 企業(yè)簡稱 |
ADPOW |
| 中文名稱 | Advanced Power Technology官網(wǎng) |
| 原廠標識 |  |
| 數(shù)據(jù)手冊 | |
| 更新時間 | 2024-11-16 8:30:00 |
TAN350規(guī)格書詳情
GENERAL DESCRIPTION
The TAN350 is a high power COMMON BASE bipolar transistor. It is designed for pulsed systems in the frequency band 960-1215 MHz. The device has gold thin-film metallization and diffused ballasting for proven highest MTTF. The transistor includes input and output prematch for broadband capability. Low thermal resistance package reduces junction temperature, extends life.
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
TAN350
- 制造商：
Microsemi Corporation
- 類別：
分立半導體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極（BJT）- 射頻
- 包裝：
散裝
- 晶體管類型：
NPN
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：
65V
- 頻率 - 躍遷：
960MHz ~ 1.215GHz
- 增益：
7dB ~ 7.5dB
- 功率 - 最大值：
1450W
- 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
10 @ 1A，5V
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：
40A
- 工作溫度：
230°C（TJ）
- 安裝類型：
底座安裝
- 封裝/外殼：
55ST
- 供應商器件封裝：
55ST
- 描述：
RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ 55ST
| 供應商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
120 |
現(xiàn)貨供應 |
詢價 | |||
TASUND |
23+ |
SOT-363 |
45000 |
原裝正品現(xiàn)貨 |
詢價 | ||
Microsemi Corporation |
2022+ |
55ST |
38550 |
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詢價 | ||
ALCATEL |
2023+ |
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詢價 | ||
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23+ |
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23+ |
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