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TC58NYG1S3HBAI6 集成電路（IC）存儲器

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原廠料號：TC58NYG1S3HBAI6

公司現(xiàn)貨,有掛就有貨。

TC58NYG1S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝DNA/67-VFBGA的TC58NYG1S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-Wire。

  • 芯片型號：

    TC58NYG1S3HBAI6

  • 規(guī)格書：

    下載 下載2

  • 企業(yè)簡稱：

    KIOXIA【鎧俠】詳情

  • 廠商全稱：

    KIOXIA Corporation

  • 中文名稱：

    鎧俠株式會社

  • 內(nèi)容頁數(shù)：

    66 頁

  • 文件大?。?/span>

    577.85 kb

  • 資料說明：

    MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

產(chǎn)品屬性

更多
  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TC58NYG1S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    2Gb（256M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 2GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商

  • 企業(yè)：

    深圳市芯緯度科技有限公司

  • 商鋪：

    進(jìn)入商鋪

  • 聯(lián)系人：

    李小姐

  • 手機：

    13243806686

  • 詢價：
  • 電話：

    13243806686

  • 地址：

    深圳市福田區(qū)華強北街道華航社區(qū)華強北路1019號華強廣場B、C、D座3層H3B046A

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