TC58NYG2S0HBAI4_集成電路（IC）存儲器-Kioxia America, Inc.

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廠家型號：
TC58NYG2S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
庫存數(shù)量：
0
類別：
集成電路（IC）存儲器
封裝外殼：
63-VFBGA
包裝：
托盤
安裝類型：
表面貼裝型
更新時間：
2024-12-29 8:00:00

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原廠料號：TC58NYG2S0HBAI4品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

TC58NYG2S0HBAI4是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-VFBGA的TC58NYG2S0HBAI4存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

芯片型號：
tc58nyg2s0hbai4
規(guī)格書：
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資料說明：
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

產(chǎn)品屬性

類型
描述
產(chǎn)品編號：
TC58NYG2S0HBAI4
制造商：
Kioxia America, Inc.
類別：
集成電路（IC） > 存儲器
包裝：
托盤
存儲器類型：
非易失
存儲器格式：
閃存
技術(shù)：
FLASH - NAND（SLC）
存儲容量：
4Gb（512M x 8）
寫周期時間 - 字，頁：
25ns
電壓 - 供電：
1.7V ~ 1.95V
工作溫度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型：
表面貼裝型
封裝/外殼：
63-VFBGA
供應商器件封裝：
63-TFBGA（9x11）
描述：
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA

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TC58NYG2S0HBAI4

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