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TC58NYG0S3HBAI6_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    TC58NYG0S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    67-VFBGA

  • 包裝：

    散裝

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-16 10:02:00

  • 詳細信息
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原廠料號：TC58NYG0S3HBAI6品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

TC58NYG0S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝67-VFBGA的TC58NYG0S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    tc58nyg0s3hbai6

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TC58NYG0S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    1Gb（128M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
1646
VFBGA67
3666
全新、原裝
 詢價
TOSHIBA/東芝
24+
VFBGA67
20000
熱賣優(yōu)勢現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA
24+
FBGA
480
原裝現(xiàn)貨假一罰十
 詢價
Toshiba
21+
FBGA
1
價格以詢價為主,東芝代理官網(wǎng)可查
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
VFBGA67
18204
原裝正品代理渠道價格優(yōu)勢
 詢價
TOSHIBA/東芝
21+
VFBGA67
17287
原裝現(xiàn)貨
 詢價
TOSHIBA/東芝
23+
VFBGA67
10000
公司只做原裝正品
 詢價
TOSHIBA
24+
BGA
5000
原廠授權(quán)代理 價格絕對優(yōu)勢
 詢價
TOSHIBA/東芝
2021+
VFBGA67
9000
原裝現(xiàn)貨,隨時歡迎詢價
 詢價
TOSHIBA
最新
VFBGA
6800
全新原裝公司現(xiàn)貨低價
 詢價

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