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TH58BYG2S3HBAI6_集成電路（IC） 存儲器-Kioxia America, Inc.

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1+
  • 廠家型號：

    TH58BYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲器

  • 封裝外殼：

    67-VFBGA

  • 包裝：

    散裝

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時間：

    2025-1-19 8:00:00

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原廠料號：TH58BYG2S3HBAI6品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

TH58BYG2S3HBAI6是集成電路（IC） > 存儲器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝67-VFBGA的TH58BYG2S3HBAI6存儲器存儲器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號：

    th58byg2s3hbai6

  • 規(guī)格書：

    原廠下載 下載

  • 資料說明：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號：

    TH58BYG2S3HBAI6

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    散裝

  • 存儲器類型：

    非易失

  • 存儲器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲容量：

    4Gb（512M x 8）

  • 存儲器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    67-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    67-VFBGA（6.5x8）

  • 描述：

    IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA
24+
FBGA
480
原裝現(xiàn)貨假一罰十
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24+
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15600
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21+
84-TFBGA
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進口原裝!長期供應(yīng)!絕對優(yōu)勢價格(誠信經(jīng)營
 詢價
TOSHIBA
2023+
FBGA
80000
一級代理/分銷渠道價格優(yōu)勢 十年芯程一路只做原裝正品
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TOSHIBA
24+
FBGA
35200
一級代理/放心采購
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TOSHIBA
20+
BGA-67
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Kioxia America, Inc.
21+
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11200
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NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
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22+
67VFBGA (6.5x8)
9000
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