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TH58BYG3S0HBAI4_集成電路（IC） 存儲(chǔ)器-Kioxia America, Inc.

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  • 廠家型號(hào)：

    TH58BYG3S0HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 庫存數(shù)量：

    0

  • 類別：

    集成電路（IC） 存儲(chǔ)器

  • 封裝外殼：

    63-VFBGA

  • 包裝：

    托盤

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 更新時(shí)間：

    2025-2-2 15:00:00

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原廠料號(hào)：TH58BYG3S0HBAI4品牌：Kioxia America, Inc.

資料說明：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

TH58BYG3S0HBAI4是集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器。制造商Kioxia America, Inc.生產(chǎn)封裝63-VFBGA的TH58BYG3S0HBAI4存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器是集成電路上用作數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備的半導(dǎo)體器件。這些器件分為非易失性或易失性兩種，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、閃存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。這些器件的存儲(chǔ)容量為 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、單線、SPI、UFS、Xccela 總線和 1-線。

  • 芯片型號(hào)：

    th58byg3s0hbai4

  • 規(guī)格書：

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  • 資料說明：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

產(chǎn)品屬性

  • 類型

    描述

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TH58BYG3S0HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-TFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

供應(yīng)商 型號(hào) 品牌 批號(hào) 封裝 庫存 備注 價(jià)格
東芝
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購(gòu)芯無憂
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
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3000
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Toshiba Memory
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原廠原包裝
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Kioxia America Inc.
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