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TH58BYG3S0HBAI4

8 GBIT (1G × 8 BIT) CMOS NAND E2PROM

DESCRIPTION TheTH58BYG3S0HBAI4isasingle1.8V8Gbit(8,858,370,048bits)NANDElectricallyErasableand ProgrammableRead-OnlyMemory(NANDE2PROM)organizedas(4096+128)bytes×64pages×4096blocks. Thedevicehasa4224-bytestaticregisterwhichallowsprogramandreaddatatobetr

TOSHIBAToshiba Semiconductor

東芝株式會(huì)社東芝

TH58BYG3S0HBAI4

包裝：托盤 封裝/外殼：63-VFBGA 類別：集成電路（IC） 存儲(chǔ)器 描述：IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

Kioxia America, Inc.

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號(hào)：

    TH58BYG3S0HBAI4

  • 制造商：

    Kioxia America, Inc.

  • 類別：

    集成電路（IC） > 存儲(chǔ)器

  • 系列：

    Benand?

  • 包裝：

    托盤

  • 存儲(chǔ)器類型：

    非易失

  • 存儲(chǔ)器格式：

    閃存

  • 技術(shù)：

    FLASH - NAND（SLC）

  • 存儲(chǔ)容量：

    8Gb（1G x 8）

  • 存儲(chǔ)器接口：

    并聯(lián)

  • 寫周期時(shí)間 - 字，頁：

    25ns

  • 電壓 - 供電：

    1.7V ~ 1.95V

  • 工作溫度：

    -40°C ~ 85°C（TA）

  • 安裝類型：

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼：

    63-VFBGA

  • 供應(yīng)商器件封裝：

    63-TFBGA（9x11）

  • 描述：

    IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA

供應(yīng)商型號(hào)品牌批號(hào)封裝庫存備注價(jià)格
東芝
22+
NA
500000
萬三科技,秉承原裝,購芯無憂
 詢價(jià)
TOSHIBA/東芝
23+
BGA
3000
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Toshiba Memory
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Kioxia America Inc
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Kioxia America Inc.
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63-VFBGA
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Toshiba Memory America, Inc.
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TOSHIBA
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35200
一級(jí)代理/放心采購
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更多TH58BYG3S0HBAI4供應(yīng)商 更新時(shí)間2025-1-15 17:00:00

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