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TH58BYG2S3HBAI6 集成電路(IC)存儲器 TOSHIBA/東芝
- 詳細(xì)信息
- 規(guī)格書下載
產(chǎn)品參考屬性
- 類型
描述
- 產(chǎn)品編號:
TH58BYG2S3HBAI6
- 制造商:
Kioxia America, Inc.
- 類別:
- 系列:
Benand?
- 包裝:
散裝
- 存儲器類型:
非易失
- 存儲器格式:
閃存
- 技術(shù):
FLASH - NAND(SLC)
- 存儲容量:
4Gb(512M x 8)
- 存儲器接口:
并聯(lián)
- 寫周期時間 - 字,頁:
25ns
- 電壓 - 供電:
1.7V ~ 1.95V
- 工作溫度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安裝類型:
表面貼裝型
- 封裝/外殼:
67-VFBGA
- 供應(yīng)商器件封裝:
67-VFBGA(6.5x8)
- 描述:
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
供應(yīng)商
- 企業(yè):
深圳市弘為電子有限公司
- 商鋪:
- 聯(lián)系人:
藍(lán)先生
- 手機(jī):
13824584784/13378669343
- 詢價:
- 電話:
0755-23942419
- 傳真:
0755-82780053
- 地址:
深圳市福田區(qū)華強(qiáng)北鼎城國際2011
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