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74VHCT08	文件：595.39 Kbytes Page：14 Pages	Quad2-inputANDgate	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半導體(中國)有限公司	NEXPERIA
74VHCT08A	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
74VHCT08A	文件：52.77 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHCT08Aisanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=4.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2μA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
74VHCT08A	文件：217.72 Kbytes Page：11 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
74VHCT08A	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
74VHCT08AFT	文件：152.81 Kbytes Page：7 Pages	CMOSDigitalIntegratedCircuitsSiliconMonolithic FunctionalDescription ?Quad2-InputANDGate General The74VHCT08AFTisanadvancedhighspeedCMOS2-INPUTANDGATEfabricatedwithsilicongateC2MOS technology. ItachievesthehighspeedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOS lowpowerdissipa	TOSHIBAToshiba Semiconductor 東芝株式會社東芝	TOSHIBA
74VHCT08AM	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
74VHCT08AM	文件：52.77 Kbytes Page：7 Pages	QUAD2-INPUTANDGATE DESCRIPTION The74VHCT08Aisanadvancedhigh-speedCMOSQUAD2-INPUTANDGATEfabricatedwithsub-micronsilicongateanddouble-layermetalwiringC2MOStechnology. ■HIGHSPEED:tPD=4.7ns(TYP.)atVCC=5V ■LOWPOWERDISSIPATION:ICC=2μA(MAX.)atTA=25°C ■COMPATIBLEWITHTTLOUTPU	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導體意法半導體（ST）集團	STMICROELECTRONICS
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74VHCT08AMTC	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
74VHCT08AMTCX	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild
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74VHCT08ASJ	文件：226.93 Kbytes Page：9 Pages	Quad2-InputANDGate	ONSEMION Semiconductor 安森美半導體安森美半導體公司	ONSEMI
74VHCT08ASJ	文件：101.11 Kbytes Page：8 Pages	Quad2-InputANDGate GeneralDescription TheVHCT08AisanadvancedhighspeedCMOS2InputANDGatefabricatedwithsilicongateCMOStechnology.Itachievesthehigh-speedoperationsimilartoequivalentBipolarSchottkyTTLwhilemaintainingtheCMOSlowpowerdissipation. Features ■Highspeed:tPD=5.0ns(typ	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導體飛兆/仙童半導體公司	Fairchild

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中科航電（深圳）電子集團有限公司	TC74VHCT08AFT(ELK)	TOSHIBA		14/SSOP	893993	集團化配單-有更多數(shù)量-免費送樣-原包裝正品現(xiàn)貨-正規(guī)	詢價
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