首頁>TDTA123J>規(guī)格書詳情

TDTA123J分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置規(guī)格書PDF中文資料

TDTA123J
廠商型號

TDTA123J

參數(shù)屬性

TDTA123J 封裝/外殼為TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包裝為卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶;類別為分立半導(dǎo)體產(chǎn)品的晶體管-雙極(BJT)-單預(yù)偏置;產(chǎn)品描述:PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

功能描述

Bipolar Transistors Silicon PNP Epitaxial Type

文件大小

229.35 Kbytes

頁面數(shù)量

5

生產(chǎn)廠商 Toshiba Semiconductor
企業(yè)簡稱

TOSHIBA東芝

中文名稱

株式會社東芝官網(wǎng)

原廠標識
數(shù)據(jù)手冊

下載地址一下載地址二到原廠下載

更新時間

2024-12-24 20:00:00

TDTA123J規(guī)格書詳情

1. Applications

? Switching

? Inverter Circuits

? Driver Circuits

2. Features

(1) The integrated bias resistor reduces the number of external parts required, making it possible to reduce

system size and assembly time.

(2) Toshiba offers transistors with a wide range of resistance to accommodate various circuit designs.

(3) Complementary to TDTC123J

產(chǎn)品屬性

  • 產(chǎn)品編號:

    TDTA123J,LM

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 類別:

    分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極(BJT)- 單,預(yù)偏置

  • 包裝:

    卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶

  • 晶體管類型:

    PNP - 預(yù)偏壓

  • 不同?Ic、Vce?時 DC 電流增益 (hFE)(最小值):

    80 @ 10mA,5V

  • 不同?Ib、Ic 時?Vce 飽和壓降(最大值):

    300mV @ 500μA,10mA

  • 電流 - 集電極截止(最大值):

    500nA

  • 安裝類型:

    表面貼裝型

  • 封裝/外殼:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供應(yīng)商器件封裝:

    SOT-23-3

  • 描述:

    PB-F BIAS RESISTOR BUILT-IN TRAN

供應(yīng)商 型號 品牌 批號 封裝 庫存 備注 價格
TOSHIBA/東芝
23+
NA/
31750
原裝現(xiàn)貨,當(dāng)天可交貨,原型號開票
詢價
LG
24+
NA
990000
明嘉萊只做原裝正品現(xiàn)貨
詢價
22+23+
原廠原包
22891
絕對原裝正品現(xiàn)貨,全新深圳原裝進口現(xiàn)貨
詢價
05+
原廠原裝
1057
只做全新原裝真實現(xiàn)貨供應(yīng)
詢價
TOSHIBA/東芝
2022
SOT23
80000
原裝現(xiàn)貨,OEM渠道,歡迎咨詢
詢價
ROHM
23+
原廠封裝
12335
詢價
24+
SOT6.M
3629
原裝優(yōu)勢!房間現(xiàn)貨!歡迎來電!
詢價
TOSHIBA/東芝
23+
SOT23
9890
原裝原盒標現(xiàn)貨可開發(fā)票
詢價
ROHM
17+
SC70-3
6200
100%原裝正品現(xiàn)貨
詢價
24+
110
本站現(xiàn)庫存
詢價