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MTW14N50E

TMOSPOWERFET14AMPERES500VOLTSRDS(on)=0.40OHM

ThisadvancedTMOSE–FETisdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thenewenergyefficientdesignalsooffersadrain–to–sourcediodewithafastrecoverytime.Designedforhighvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandPWMmo

MotorolaMotorola, Inc

摩托羅拉加爾文制造公司

PHW14N50E

PowerMOStransistorsAvalancheenergyrated

VDSS=500V ID=14A RDS(ON)≤0.4? GENERALDESCRIPTION N-channel,enhancementmodefield-effectpowertransistor,intendedforuseinoff-lineswitchedmodepowersupplies,T.V.andcomputermonitorpowersupplies,d.c.tod.c.converters,motorcontrolcircuitsandgeneralpurpos

PhilipsNXP Semiconductors

飛利浦荷蘭皇家飛利浦

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaSpecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHG14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFET

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

DSeriesPowerMOSFETs

FEATURES ?OptimalDesign -LowAreaspecificOn-Resistance -LowInputCapacitance(Ciss) -ReducedCapacitiveSwitchingLosses -HighBodyDiodeRuggedness -AvalancheEnergyRated(UIS) ?OptimalEfficiencyandOperation -LowCost -SimpleGateDriveCircuitry -LowFigure-Of-Merit(

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半導(dǎo)體

SIHP14N50D

iscN-ChannelMOSFETTransistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

無錫固電無錫固電半導(dǎo)體股份有限公司

SLB14N50C

500VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLF14N50C

500VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

SLI14N50C

500VN-ChannelMOSFET

MAPLESMIShenzhen Meipusen Semiconductor Co., Ltd

美普森深圳市美普森半導(dǎo)體有限公司

供應(yīng)商型號品牌批號封裝庫存備注價格
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更多TF14N50供應(yīng)商 更新時間2025-5-3 11:00:00

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