| 零件編號 | 下載 訂購 | 功能描述/絲印 | 制造商 上傳企業(yè) | LOGO |
|---|---|---|---|---|
TIP112 | POWER TRANSISTORS(2.0A,60-100V,50W)
| MOSPECMospec Semiconductor 統(tǒng)懋統(tǒng)懋半導(dǎo)體股份有限公司 | MOSPEC | |
TIP112 | DARLINGTON 2 AMPERE COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
| MotorolaMotorola, Inc 摩托羅拉加爾文制造公司 | Motorola | |
TIP112 | NPN SILICON POWER DARLINGTONS NPNSILICONPOWERDARLINGTONS ●DesignedforComplementaryUsewith TIP115,TIP116andTIP117 ●50Wat25°CCaseTemperature ●4AContinuousCollectorCurrent ●MinimumhFEof500at4V,2A | POINN Power Innovations Ltd | POINN | |
TIP112 | COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS DESCRIPTION TheTIP110andTIP112aresiliconEpitaxial-BaseNPNtransistorsinmonolithicDarlingtonconfigurationmountedinJedecTO-220plasticpackage.Theyareintentedforuseinmediumpowerlinearandswitchingapplications. ThecomplementaryPNPtypesareTIP115andTIP117. ■STMicroe | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半導(dǎo)體意法半導(dǎo)體集團(tuán) | STMICROELECTRONICS | |
TIP112 | PLASTIC MEDIUM-POWER COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
| bocaBoca Semiconductor Corporation 博卡博卡半導(dǎo)體公司 | boca | |
TIP112 | Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors MonolithicConstructionWithBuiltInBase-EmitterShuntResistors ?ComplementarytoTIP115/116/117 ?HighDCCurrentGain:hFE=1000@VCE=4V,IC=1A(Min.) ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage ?IndustrialUse | FairchildFairchild Semiconductor 仙童半導(dǎo)體飛兆/仙童半導(dǎo)體公司 | Fairchild | |
TIP112 | EPITAXIAL PLANAR NPN TRANSISTOR (MONOLITHIC CONSTRUCTION WITH BUILT IN BASE-EMITTER SHUNT RESISTORS INDUSTRIAL USE.) MONOLITHICCONSTRUCTIONWITHBUILTIN BASE-EMITTERSHUNTRESISTORSINDUSTRIALUSE. FEATURES ?HighDCCurrentGain. :hFE=1000(Min.),?VCE=4V,IC=1A. ?LowCollector-EmitterSaturationVoltage. ?ComplementarytoTIP117. | KECKEC CORPORATION KEC株式會社 | KEC | |
TIP112 | NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR DESCRIPTION TheUTCTIP112isdesignedforsuchapplicationsas:DC/DCconverterssupplylineswitching,batterycharger,LCDbacklighting,peripheraldrivers,Driverinlowsupplyvoltageapplications(e.g.lampsandLEDs)andinductiveloaddriver(e.g.relays,buzzersandmotors). FEATURES * | UTCUnisonic Technologies 友順友順科技股份有限公司 | UTC | |
TIP112 | PLASTIC POWER TRANSISTORS PLASTICPOWERTRANSISTORS IntendedforuseinMediumPowerLinearandSwitchingApplications TO-220PlasticPackage | TEL TRANSYS Electronics Limited | TEL | |
TIP112 | TECHNICAL SPECIFICATIONS OF NPN DARLINGTON TRANSISTOR Description Designedforuseingeneralpurposeamplifierandlow-speedswitchingapplications. | DCCOM Dc Components | DCCOM |
晶體管資料
- 型號：
- 別名：
三極管、晶體管、晶體三極管
- 生產(chǎn)廠家：
- 制作材料：
Si-N+Darl+Di
- 性質(zhì)：
低頻或音頻放大 （LF）_開關(guān)管 （S）_功率放大 （L
- 封裝形式：
直插封裝
- 極限工作電壓：
100V
- 最大電流允許值：
4A
- 最大工作頻率：
<1MHZ或未知
- 引腳數(shù)：
3
- 可代換的型號：
BD265B,BD701,BDW23C,BDW53C,BDW63C,
- 最大耗散功率：
50W
- 放大倍數(shù)：
β>1000
- 圖片代號：
B-10
- vtest：
100
- htest：
999900
- atest：
4
- wtest：
50
產(chǎn)品屬性
- 產(chǎn)品編號：
TIP112
- 制造商：
onsemi
- 類別：
分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 > 晶體管 - 雙極性晶體管（BJT）- 單個(gè)
- 包裝：
管件
- 晶體管類型：
NPN - 達(dá)林頓
- 不同?Ib、Ic 時(shí)?Vce 飽和壓降（最大值）：
2.5V @ 8mA，2A
- 電流 - 集電極截止（最大值）：
2mA
- 不同?Ic、Vce?時(shí) DC 電流增益 (hFE)（最小值）：
1000 @ 1A，4V
- 工作溫度：
150°C（TJ）
- 安裝類型：
通孔
- 封裝/外殼：
TO-220-3
- 供應(yīng)商器件封裝：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 2A TO220-3
| 供應(yīng)商 | 型號 | 品牌 | 批號 | 封裝 | 庫存 | 備注 | 價(jià)格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半導(dǎo)體) |
23+ |
TO-220 |
942 |
原廠訂貨渠道,支持BOM配單一站式服務(wù) |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
23+ |
TO-220 |
2000 |
全新原裝深圳倉庫現(xiàn)貨有單必成 |
詢價(jià) | ||
SAMSUNG/三星 |
24+ |
TO-220 |
5000 |
只做原廠渠道 可追溯貨源 |
詢價(jià) | ||
ST/意法 |
21+19+ |
TO-220 |
8279 |
只做原裝正品 |
詢價(jià) | ||
ST(意法) |
2450 |
TO-220 |
99996 |
ST原廠原裝正品一手貨源可全線定貨 |
詢價(jià) | ||
SMG |
06+ |
原廠原裝 |
13451 |
只做全新原裝真實(shí)現(xiàn)貨供應(yīng) |
詢價(jià) | ||
ST |
23+ |
TO220 |
9526 |
詢價(jià) | |||
STM |
13+ |
TO-220AB |
400 |
原裝正品現(xiàn)貨庫存價(jià)優(yōu) |
詢價(jià) | ||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
詢價(jià) | |||
ST/進(jìn)口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
詢價(jià) |
